本發明涉及一種晶片幹洗係統，更詳細地說，涉及一種能夠提高對晶片的幹燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)幹洗係統。馬蘭戈尼型幹燥劑係統，可以提高晶片的幹燥效率。

上述幹燥劑係統將低表麵張力的異丙醇蒸氣噴射到晶片的表麵，使存在於上述晶片表麵的去離子水幹燥，幹洗係統配備充有去離子水的殼體及充有異丙醇的液罐，殼體內內置晶片，所述液罐設有產生異丙醇蒸氣的泡泡器，殼體的上部安裝有內置第一散流器的引擎蓋，所以殼體的兩側部分別安裝有第二和第三散流器。第一至第三散流器收納所述異丙醇蒸氣，分別向晶片的上部及兩側部噴射，異丙醇蒸氣由來自氮源的套利性氮氣傳遞到所述第一至第三間雜波，異丙醇蒸氣由上述第一至第三散流器向晶片的上部及兩側部噴射，從而提高了對晶片的幹燥效率。

為了提高半導體元件的質量，必須通過清洗工藝，由於上述脫離子水具有溶解矽的性質，必須完全幹燥晶片，以避免在清洗工藝後形成脫離子水中的水斑（WATER SPOT）。為了提高對上述晶片的幹燥效率，近年來采用了利用馬蘭戈尼效應(MARANGONI)EFFECT)的幹燥方法，馬蘭戈尼幹燥方法是在一個液區存在兩個不同表麵張力區的情況下，利用液從表麵張力小的區域向表麵張力大的區域流動的原理對晶片進行幹燥。

圖1顯示以往晶片幹燥用馬蘭戈尼型幹燥劑係統結構的概略圖

如圖1中所城示的那樣，以往晶片幹洗係統具有內置晶片的殼體和充有異丙基醇(IPA)的液罐，殼體的內部充有去離子水(DIW)，所述液罐內設有產生異丙醇蒸氣的冒泡器，在殼體的上部，安裝有散流器的引擎蓋。

圖2是用於顯示上述殼體和引擎蓋的內部結構的側剖麵圖。如城市在圖2中的吧台，在上述殼體的兩側壁上形成了用於引導上述晶片上下移動的引導槽，所述晶片布置在所述導向槽內並上下移動，因此，所述晶片的上下移動沿著所述導向槽穩定地進行。

圖3是截取圖2的A-A部的剖麵圖

參照圖3，在所述引擎蓋的底麵上形成了用於破斷移至所述殼體上部的晶片的係合槽。所述係合槽用於使已完成幹燥工藝的晶片與所述殼體分離；該小定位置形成了一個噴射孔，該噴射孔將從上述散裂器噴射的異丙基醇蒸氣引導到上述殼體內。

首先，當利用去離子水的清洗工序完成後，針對晶片的幹燥工序啟動時，升降機被驅動，使上述晶片從去離子水慢慢向上移動。如以上所述，根據本發明的晶片幹洗係統在晶片的表麵均勻地添加了異丙基，采用醇基蒸氣噴射，具有使用適量異丙基醇蒸氣使晶片幹燥良好的優點。此外，根據本發明的晶片幹洗係統利用馬蘭戈尼效應去除晶片表麵存在的脫二熱水，因此在幹燥工藝完成後晶片上不會出現水斑等；使優質的半導體元件生產成為可能。以上說明了本發明參考可取的實施例，在本發明的技術思想範疇內，可以進行各種改良或變形，而這些改良或變形也屬於本發明，這一點，是可以認知的，為了克服上述以往技術中存在的問題，目的是提供能夠提高晶片幹燥效率的馬蘭戈尼型幹燥劑係統。